삼성, GTC에서 HBM4E 공개

삼성전자가 GTC 2026 현장에서 차세대 고대역폭 메모리 HBM4E를 처음 공개했다. 핀당 16Gbps 속도에 스택당 대역폭 4.0TB/s를 달성한다. 현재 양산 중인 HBM4가 업계 표준 8Gbps를 크게 넘는 11.7Gbps(부스트 시 13Gbps)를 기록하는데, HBM4E는 여기서 한 단계 더 올린 것이다.

구조적으로도 세대 교체가 일어났다. HBM3E에서 HBM4로 넘어오면서 인터페이스가 1,024비트에서 2,048비트로 두 배 확장됐다. 적층 기술에서는 하이브리드 구리 본딩(HCB)이 핵심이다. 기존 열압착 본딩 대비 열저항을 20% 이상 줄이면서 16단 이상 적층을 가능하게 한다. 삼성은 저전력 서버 메모리 모듈 SOCAMM2의 업계 최초 양산과 PCIe 6세대 기반 SSD PM1763(읽기 28,400MB/s, 쓰기 21,000MB/s, 4에서 64TB)도 함께 선보이며 AI 인프라 전반을 아우르는 토탈 솔루션을 내세웠다.

삼성에게 이번 GTC는 반등의 무대이기도 했다. HBM4가 엔비디아 인증 테스트에서 속도와 전력 효율 양쪽 모두 최고 점수를 받았고, 2026년 생산분은 이미 완판됐다. 젠슨 황(Jensen Huang) CEO가 키노트에서 삼성 파운드리의 그록 3(Groq 3) LPU 제조를 직접 언급하며 감사를 표한 것도 상징적이다. AI 슈퍼사이클 속에서 SK하이닉스(SK hynix)가 HBM 시장 점유율 62%로 압도적 1위를 지키고 있지만, 삼성은 17%에서 30% 이상으로 끌어올리겠다는 목표를 세웠다. 2025년 4분기에 사상 최대 영업이익 20.1조 원을 기록하며 반도체 슈퍼사이클의 수혜를 본격적으로 거두기 시작한 삼성이 메모리 왕좌 탈환에 속도를 내고 있다.

FAQ

HBM이란?

High Bandwidth Memory의 약자로, AI 칩 옆에 수직으로 쌓아 올리는 고성능 메모리다. 일반 메모리보다 수십 배 빠른 데이터 전송이 가능해 AI 훈련과 추론에 필수적이다.

HBM4E와 HBM4의 차이는?

HBM4가 핀당 11.7Gbps인 반면 HBM4E는 16Gbps다. 대역폭은 HBM4의 약 2TB/s에서 HBM4E의 4TB/s로 두 배 늘었다.

하이브리드 구리 본딩이란?

반도체 칩을 쌓을 때 구리와 산화물 표면을 직접 접합하는 기술이다. 기존 방식보다 열저항을 20% 이상 줄이면서 16단 이상 적층을 가능하게 한다.

삼성과 SK하이닉스의 HBM 점유율은?

SK하이닉스가 62%로 압도적 1위이고, 삼성은 17%다. 삼성은 2026년 30% 이상을 목표로 하고 있다.

FAQ

댓글