인텔 파운드리, 세계 최박 GaN 칩렛(19μm) 기술 공개

인텔 파운드리가 300mm 실리콘 웨이퍼 기반 세계 최초 완전한 GaN(갈륨나이트라이드) 칩렛 기술을 공개했다. 두께 19μm. 머리카락의 1/5 수준이다.

핵심은 GaN 트랜지스터와 실리콘 디지털 제어 회로를 단일 다이에 모놀리식으로 통합한 것이다. 300GHz 이상 동작 주파수가 가능해 데이터센터 전력 효율화와 5G/6G RF 프론트엔드에 직접 적용할 수 있다.

이 정도로 얇은 GaN 칩렛이 실현되면 기존 실리콘 칩과의 이종 집적이 가능해진다. 칩렛 아키텍처의 소재 제한이 풀리는 것이다. 전력 반도체의 판이 바뀔 수 있는 기초 기술이다.

‘시스템 파운드리’로 전환을 선언한 인텔이 실리콘 이외의 소재에서 기술 차별화를 입증한 사례다. 최첨단 공정 경쟁에서 TSMC·삼성을 따라잡기 어려운 인텔이, 다른 길로 파운드리 경쟁력을 만들겠다는 의도가 읽힌다.